东芝开发出三栅极IGBT和栅极控制技术

东芝开发出三栅极IGBT（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写）和栅极控制技术，采用从栅极驱动电路端灵活控制IGBT内部载流电子和空穴蓄积量的方式，从而大幅降低开关损耗。

技术特点

在同一芯片内具有3个栅极，即主栅极(以下简称“MG”)、第1控制栅极(以下简称“CGp”)和第2控制栅极(以下简称“CGs”)，并且3个栅极采用独立驱动方式。

      当栅极开通时，通过控制栅极使CGs相对于MG和CGp出现延迟，再实现MG、CGp和CGs三个栅极同时接通。其结果是让大量的电子和空穴被高速注入并蓄积在IGBT中，从而缩短开关转换时间，并降低开通损耗。

      当栅极关断时，让CGs保持关断状态的同时，让CGp先于MG关断，以减少元件内部的电子和空穴。通过上述方式，当MG关断时(即：当IGBT完全关断时)，电子和空穴快速消失，从而降低关断损耗。

     通过三栅极IGBT与栅极控制技术的结合，成功实现了与传统IGBT相比，开通损耗和关断损耗分别降低50%和28%，整体开关损耗***多可降低40.5%。对于性能改善趋于极限的硅IGBT而言，该技术可显著降低其功率损耗，从而为降低功率转换器的功率损耗做出巨大贡献。